沿革

2021

  • 02月 获得专利第10-2217856号专利证书
  • 01月 获得专利第10-2201960号专利证书

2020

  • 12月 取得IATF 16949质量管理体系认证
  • 03月 获得专利第10-2094769号专利证书
    以多重EPY增长法体现的P SHID结构的电力半导体及其制造方法
  • 02月 获得专利第10-2078579号专利证书
    防弧系统

2019

  • 09月 AEC-Q101 取得认证
    IATF-16949[LOC] 取得认证
  • 07月 商标权注册完成(韩国,中国,香港)
  • 06月 产业通商资源部选定国策课题
    选定原材料,零部件技术开发事业主管企业
  • 05月 产业通商资源(MOTIE), 部表彰扩大就业部门长官
  • 04月 产业通商资源部选定国策课题
    未来增长动力项目1700V 硅碳化物MOSFET开发选定参与企业
    开发未来增长动力项目4500V硅碳化物MOSFET,选定主管企业
  • 01月 产业通商资源(MOTIE), 部表彰扩大就业部门长官
  • 01月 产业通商资源(MOTIE), 部表彰扩大就业部门长官

2018

  • 12月 年度技术创新CEO奖 / 韩国电气研究院(KERI)
  • 08月 '股份公司 YES POWERTECHNIX' 互变
  • 07月 国内首次举行SiC 功率半导体量产生产线纪念仪式
  • 05月 ISO 9001(NO.14737)/ISO 14001(NO.14758) 获得认证
    工厂注册取得
    引进高温高能离子注入装置
  • 03月 KERI SiC Mosfet 签订技术转移合同
    获得企业研究所认证(科学技术信息通信部)
    获得技术评估优秀企业认证书(T-4等级)

2017

  • 12月 '股份公司 POWERTECHNIX' 法人设立完成
  • 10月 SiC SBD SET 评价及信任评价完成
  • 09月 DHK, 产品 迪辛
    SP半导体, 产品 包装
    NINT, 技术事业化优先协商对象选定
  • 08月 P사, SiC SBD SET 签订评价及可靠性评估合同결
    SiC Diode 产品 Fab-out
    SiC Diode 650V/10A, 20A 产品 live Demo
  • 07月 KERI, 签署离子注射工程机械利用协议