연혁

2021

  • 02월 특허 제10-2217856호 특허증 취득
  • 01월 특허 제10-2201960호 특허증 취득

2020

  • 12월 IATF 16949 품질경영시스템 인증 획득
  • 03월 특허 제10-2094769호 특허증 취득
    다중 에피 성장법으로 구현된 P 쉴드 구조의 전력 반도체 및 그 제조 방법
  • 02월 특허 제10-2078579호 특허증 취득
    아크 방지 장치 및 그 장치가 적용된 프로브 카드

2019

  • 09월 AEC-Q101 인증획득
    IATF-16949[LOC] 인증획득
  • 07월 상표권 등록완료(한국, 중국, 홍콩)
  • 06월 산업통상자원부 국책 과제 선정
    소재부품 기술개발 사업 주관기업 선정
  • 05월 증자 [자본금 2,350백만원 -> 2,438백만원]
  • 04월 산업통상자원부 국책 과제 선정
    미래성장 동력사업 1700V 실리콘카바이드 MOSFET 개발, 참여기업 선정
    미래성장 동력사업 4500V 실리콘카바이드 MOSFET 개발, 주관기업 선정
  • 01월 산업통상자원부 고용확대부문 장관 표창(고용확대부문)
  • 01월 특허 취득 [2건, 실리콘카바이드 반도체 소자 및 그 제조방법 외 1건]

2018

  • 12월 올해의 기술혁신 CEO 상 / 한국전기연구원
  • 12월 NeT 신기술 인증 취득
  • 08월 '(주)예스파워테크닉스' 상호 변경
  • 07월 국내 최초 SiC 파워반도체 양산라인 기념식
  • 05월 ISO 9001(NO.14737)/ISO 14001(NO.14758) 인증 취득
    공장등록 취득
    고온 고에너지 이온주입 장치 도입
  • 03월 KERI SiC Mosfet 소자 기술 이전계약 체결
    기업부설연구소 인증 (과학기술정보통신부)취득
    기술평가 우수기업 인정서(T-4등급) 취득

2017

  • 12월 '(주)파워테크닉스' 법인설립 완료
  • 10월 SiC SBD SET 평가 및 신뢰성 평가 완료
  • 09월 DHK, 제품 Dicing
    SP반도체, 제품 Packaging
    NINT, 기술사업화 1순위 우선협상대상자 선정
  • 08월 P사, SiC SBD SET 평가 및 신뢰성 평가 계약 체결
    SiC Diode 제품 Fab-out
    SiC Diode 650V/10A, 20A 제품 live Demo
  • 07월 KERI, 이온주입기 공정기기 활용 협약 체결